英特先用新EUV 台考量成本效益策略大不同

台、英特三星逐程技，持受到各界目。相於英特於2026年量18A入高值孔紫外光技，台2028年量A14程仍不用，大策略大不同，主要是台基於成本效益考量。

英特（Intel）前行季辛格（Pat Gelsinger）先前，反使用艾司摩（ASML）的紫外光（EUV）是策，拖累英特晶代工事欠缺能力。使得外界高度注英特台入高值孔紫外光（High-NA EUV）展，方逐程技的指。

台在去年技出A16程不用High-NA EUV的消息，全球深副理暨副共同，他喜High-NA EUV的性能，但不喜它的格，成本非常高。

英特出已全包下ASML年造的5台High-NA EUV，台策略大相庭，引各界目。

台在日前的技一步出A14程也不用High-NA EUV；反英特2026年量18A就入High-NA EUV技，再度引。

明，台在每代程技都光罩增加量控制在最低，成本效益至重要。A14程不用High-NA EUV就在於成本效益；若使用High-NA EUV技，程成本可能比EUV高出多2.5倍。

半者表示，台三星（Samsung）在改（GAA）架的策略也大不同。台定今年下半年量的2奈米程才改GAA架，三星先在3奈米程改GAA架。

者指出，外界原先期三星在GAA架展，可望在2奈米程超前台，果台3奈米程定度高，充分掌握近年AI大商，2奈米也展利，如期於今年下半年量，持居先地位。因此以英特先使用High-NA EUV技，仍以定英特就能回地位。