三星晶代工喜？2奈米良率突破30% Exynos2600挑高通

三星（Samsung）的晶代工在2奈米程上取得重大突破，其第一代2奈米式（GAA）良率出已到30%。者敬／

根外媒，三星（Samsung）的晶代工在2奈米程上取得重大突破，其第一代2奈米式（GAA）良率出已到30%，管非理想，但已於之前3奈米程所面的困境。著旗晶片Exynos2600於9月底始量，示三星已好大模生，而不生巨大。

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三星Exynos2600晶片即投入量。／科技料照）[/caption]

10核心CPU加持！Exynos2600跑分追平高通，更入散技

在技力方面，2奈米GAA（代SF2）程相於3奈米GAA，性能提升12%、功耗效率25%提升，以及5%的晶片面。此外，Exynos2600也用BSPDN（背面供）技，以一步改善功耗表。

然三星的晶代工曾因往事件受，如果Exynos2600成功上市，有吸引流失的客回流，始向三星下。此前，特斯拉已三星一高165美元的晶片代工，示市三星的信任度正逐步恢。

Exynos2600的CPU用10核心配置，包含13.80GHz的高性能核心、33.26GHz的高功率核心，以及62.76GHz的效率核心。即使先前的分不佳，但最新的Geekbench6跑分果示，在多核心效能上，Exynos2600已能追平降版的高通Snapdragon8 Elite Gen5。

了解核心增加可能的功耗，三星在Exynos2600上首次用HPB（Heat Pass Block）技，此技作晶片散片，有效降低周DRAM晶片生的量，而Exynos2600也可能保留使用FOWLP（Fan-out Wafer Level Packaging）封技，一步提升散效能保性能定。

在市策略上，三星Galaxy S Ultra系列旗，去三年全面用高通晶片。然而，有分析推，著Exynos2600入量，三星可能在下一代Galaxy S26 Ultra上，重新用晶片供策略，部分市消者也能到Exynos2600的效能。

料源：Wccftech

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