第三代半禁半SiC/GaN具高率、高穿、高和子漂移速率等物理特性,因此其天然合高、高功率、高、高以及抗射等劣件要求高的用,被力子域的覆性技。SiC在汽OBC(充器)和DC-DC件用已相成熟,而基於SiC的主逆器仍未入大模量段。市於延航程及短充有著大需求,整平台高化愈演愈烈,此各大企已推出800V高型。GaN-on-SiC 能承受的崩相大的多,限在 2000 伏左右,意味著用於用有相大的力。是 GaN-on-SiC 的重要里程碑」,由於台在的主性相大,「疑是一金石,一旦成功入,未在打入的供就有把握度」。
“台智明是台的LED造商。它成立於1984年,有38年的造。注於、卡的研、新、造,量和工的持改和改,服客需求是最重要的目。智慧、道德、研究、展”