Tight-binding Model 发音 释义 Definition 紧束缚模型(tight-binding model) :凝聚态物理/固体物理中一种近似方法,用来描述晶体中电子的能带结构。它假设电子主要局域在原子或格点附近 ,并通过相邻格点之间的“跃迁/跳跃”(hopping) 产生能带与色散关系(常用于晶格、半导体、石墨烯等体系)。
发音 Pronunciation (IPA) /tat band mdl/
例句 Examples The tight-binding model is a simple way to estimate electronic bands. 紧束缚模型是一种估算电子能带的简便方法。
Using a tight-binding model with nearest-neighbor hopping, we can reproduce the band structure near the Dirac point. 使用只考虑最近邻跃迁的紧束缚模型,我们可以重现实验中狄拉克点附近的能带结构。
词源 Etymology tight-binding 字面意思是“紧密束缚”:指电子波函数主要“贴”在原子/格点附近、局域性强;model 表示一种用于计算与解释的理论模型。该术语在20世纪固体能带理论发展中逐渐固定,用来与更偏向“近自由电子(nearly free electron)”的思路相对。
相关词 Related Words Band Structure Bloch Theorem Hopping Lattice Nearest-neighbor Hamiltonian Brillouin Zone Wannier Function Nearly Free Electron Model 文学与典籍出现 Literary Works Solid State Physics (Ashcroft & Mermin)以紧束缚近似讨论能带与晶格中的电子态。 Introduction to Solid State Physics (Charles Kittel,《固体物理导论》)介绍紧束缚思想并与其他近似对比。 Electronic Structure and the Properties of Solids (Walter A. Harrison)系统使用紧束缚参数化来描述材料电子结构。 Slater & Koster (1954), “Simplified LCAO Method for the Periodic Potential Problem”紧束缚参数(常称 SlaterKoster 参数)在材料计算中影响深远。