band gap（能带隙/带隙）指固体（尤其是半导体与绝缘体）中价带与导带之间的能量差。电子若要从价带跃迁到导带，通常需要获得至少等于带隙的能量（如热能或光子能量）。在语境中也常写作 bandgap。另有较少见的引申义（如声子/光子晶体的“带隙”），但最常见的是半导体物理中的含义。
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Silicon has a band gap of about 1.1 eV.
硅的带隙大约是 1.1 电子伏。
By engineering the band gap with alloying and strain, the device can absorb a wider range of wavelengths, improving solar-cell efficiency.
通过合金化与应变工程调控带隙，该器件可以吸收更宽范围的波长，从而提升太阳能电池效率。
band 在物理学里指“能带”（电子在晶体中允许占据的一段连续能量范围），gap 意为“空隙/间隔”。组合成 band gap，字面就是“能带之间的间隔”，用来描述价带与导带之间没有允许电子态的能量区间。这一术语随 20 世纪固体能带理论与半导体器件发展而普及。
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